定義
以玻璃取代傳統有機材料（FR4/ABF）作為封裝基板芯材或中介層，具備更低翹曲、更低訊號損耗、更大尺寸優勢。依應用分為三個層次：Glass Carrier、Glass Core、Glass Interposer。
機構C 2026-05-21 報告將玻璃芯基板定位為先進封裝的新興技術：Intel 已公開展示玻璃核心基板，但定位為本世代後段的基礎研究，並非即將高量產；Absolics（SKC 子公司）已取得美國 CHIPS Act 初步支持，規劃在喬治亞建立玻璃基板廠；AGC、Corning、Schott 則投入低 CTE 玻璃與封裝級材料格式。
三層分類架構
flowchart TD
Glass[玻璃基板技術]
Glass --> Carrier["Glass Carrier<br>臨時鍵合載板<br>暫時固定晶圓用<br>技術最成熟"]
Glass --> Core["Glass Core Substrate<br>封裝基板芯材<br>取代有機 ABF 芯<br>TGV 深寬比 ~10:1<br>晶呈 LADY 製程已達到"]
Glass --> Interposer["Glass Interposer<br>取代矽中介層<br>深寬比需求更高<br>目前仍在開發"]
與有機載板比較
| 特性 | 玻璃芯基板 | 有機載板（ABF） |
|---|---|---|
| 翹曲 | 低（CTE 接近矽） | 高（有機材料 CTE 差異大） |
| 訊號損耗 | 低（低 Df） | 較高 |
| 最大尺寸 | 大（面板級） | 受限於基板廠設備 |
| 厚度 | 薄 | 較厚 |
| 成本 | 高（初期） | 成熟低成本 |
| 易碎性 | 高（玻璃脆） | 低 |
機構C 歸納玻璃相對 ABF 的核心優勢為：平整度高、較少翹曲、散熱較佳、低損耗有利高速訊號，以及支援大尺寸整合；這些優勢對 AI / HPC 封裝的高功耗、大面積、高 I/O 數需求特別重要。
PI 提升與成本佔比邏輯（郭明錤 2026-06-11）
針對台積電 CoWoS 玻璃核心基板（郭明錤解讀 memo，2026-06-11）：
- PI（電源完整性）提升機制：玻璃核心變薄 → 技術_TGV 垂直導通通道變短 → 通道電阻 R 與迴路電感 L 雙降 → PI 提升 → 釋放更多 Power Headroom → 可整合更多電晶體 / 拉高時脈 → 更強 AI 算力。客戶願為「AI 算力增長」付溢價（≠ 為生產效率付溢價），是 Nvidia 積極導入主因。
- 成本佔比邏輯：玻璃單片成本雖比現有 ABF 高數倍，但基板僅佔 AI 晶片 BOM 的低個位數（1–5%），而封裝良率損失金額常達基板成本的 5–10 倍；玻璃核心提高良率、降低封裝良率損失，故高單價不阻礙採用。此與本頁前述「BOM 需降至 USD 400/片」的絕對成本門檻為兩種互補視角（絕對降本 vs 相對 BOM 佔比）。
- 三層 oS 結構與 ABF 規格：玻璃核心夾於兩層 ABF 增層之間（CoPoS 的「oS」）；ABF 增層主用味之素 GL107 混 ABF-GCP、測試 24–28 層（2027–2028 AI 晶片主流 ABF 規格）。架構與切割轉移細節見 技術_CoPoS。
玻璃芯基板量產進度全景（機構O SBR 研討會，2026-07-21）
機構O（2026-07-21）引述 SBR Technology 西尾俊彥的獨立訪查，逐廠盤點玻璃芯（Glass Core）量產進度：
| 廠商 | 進度 | 備註 |
|---|---|---|
| Absolics（SKC 子公司） | 目前唯一已具量產設施、進入小量生產階段的廠商 | 領先其他所有基板廠 |
| 4062.JP(ibiden) | 仍在開發階段 | 未公布具體量產時間 |
| Shinko Electric Industries | 仍在開發階段 | 未公布具體量產時間 |
| Unimicron／欣興 | 仍在開發階段 | 未公布具體量產時間 |
| 009150.KR(semco) | 已宣布與 Sumitomo Chemical 合建量產廠 | 規劃 2028 年起量產打樣（prototyping）；廠房完工後仍需時間取得客戶認證 |
| Dai Nippon Printing（DNP） | 尚未對全面投資做出決策 | 相對保守 |
與既有頁「兩大不確定性」交叉印證，非新增衝突
上表逐廠進度與本頁既有「兩大不確定性（機構C，2026-05-21）」「商業化時程」表方向一致：西尾俊彥判斷量產基礎設施（含量產廠）仍不足，2030 年前難以量產，與機構C、Corning 管理層「大規模採用 2030+」的既有估計互相印證。
JPCA Show 2026 揭露的台積電－Ibiden－Innolux 合作（本頁「NVIDIA / Broadcom 供應鏈確認」節已有相關內容，出自機構R 2026-06-22）在本次機構O 報告中獲得第三方獨立來源佐證：機構O「Our view」段落亦提到 JPCA Show 2026 上台積電將與 Ibiden、Innolux 合作開發用於 CoPoS 的玻璃芯基板，兩份不同機構報告方向一致。
兩代路線與 500 µm 甜蜜點（專家會議 2026-07-22）
TGV 專家會議（講師具近十年孔內金屬化經驗）給出的世代框架與厚度定義：
- 第一代＝玻璃 Carrier（暫時性，最終分離移除）：現階段主流應用；CoPoS 第一代型態為 FOPLP，預計 2028 年量產（非 FOPLP 路線則更難）。
- 第二代＝Core Substrate（800–1,100 µm）與 Glass Interposer（500 µm 以下）：兩者邊界模糊——台積電口中的 Core Substrate，對封裝 / PCB 業界可能就是 Interposer，定義因觀察角度而異。
- 500 µm 是技術甜蜜點：機械強度優於 300 µm（300 µm 以下 handling 幾乎不可行）、製程時間優於 800 µm（厚板立體導線每段都花時間，甚至以天計）；且 500 µm 級是 Foundry、Package House、PCB 載板、Display 各類廠商都能參與的區間。講師以 Intel EMIB 玻璃基板實測佐證：標稱 800 µm、依比例尺量測實際僅約 600 多 µm——與本頁 NEPCON 2026 段「標稱 800 µm、實測推測 ~625 µm」獨立交叉一致；600–750 µm、AR 接近 10 或略低即可為佳解。
- 尺寸擴張路徑：工程版 250×250 mm → 量產版 300 mm 級；510×515 mm 挑戰極大（大面積挖孔、設備與均勻度、孔數檢測時間），須先在一定尺寸內拉良率再放大——「良率拉不起來根本無法推廣，良率比利用率重要」（此觀點與力成早期大尺寸玻璃廠投資形成對照）。講師判斷 TGV substrate（core 或 interposer）尺寸會落在 310×310 範圍，600 級難度極高。
專家觀點：Interposer 可能比 Core Substrate 快（與市場共識相反）
多數人認為 Core Substrate 先行；講師持相反看法——大面積 Core Substrate 的供應商（設備 / 材料 vendor）能力是關鍵，若非台積電體系，能取得的 vendor 等級低一級，Core Substrate 反而慢；Interposer（小尺寸、500 µm 以下）可能較快。且台積電定義的 core 對業界即 interposer，兩說可能部分是定義差異。並列觀察。
時程保守派再添一票
講師預估 Glass Interposer 2030–2032 年才可能成熟（自評較市場共識保守），與機構O SBR 西尾俊彥「2030 年前難量產」、Corning「大規模採用 2030+」同陣營；對照機構C Broadcom 2027F 先行、郭明錤台積電 4Q28–1Q29 目標，時程分歧持續拉大，投資上仍應區分「設備驗證先行」與「載板放量遞延」。
TGV 製程（已併入 TGV 頁）
→ TGV 成孔路線比較、LADY 製程、23 道完整製程與金屬化兩路線詳見 技術_TGV（製程材料台廠對應圖已一併移入）。
Innolux TGV 驗證現況（機構B 2026-06-22）
3481_群創（市） 目前正向 major foundry（推測為台積電）供應含 TGV 的玻璃芯基板，用於驗證模擬玻璃芯 ABF 基板的效益，是面板廠跨入玻璃芯基板供應鏈目前最具體的進度揭露。
| 技術面向 | 內容 |
|---|---|
| 驗證優點 | 更佳共平面度（coplanarity）、更低 CTE、更高有效彈性模數（effective modulus）、更佳電源完整性（power integrity） |
| 主要瓶頸 | TGV 製程良率（yield）是量產的關鍵 gating factor，對群創目前仍有挑戰 |
| 導入路線 | 預計先從 CoWoS 起步，後延伸至 CoPoS |
| 量產時程 | meaningful revenue 不早於 2028 |
| 競爭格局 | 多家供應鏈廠商同步瞄準此機會，量產競爭可能加劇 |
來源：機構B，2026-06-22，信心：中高
圖說：群創股價 vs. 32" TV Open Cell 面板均價，顯示面板景氣周期對估值的主導性。玻璃芯基板題材貢獻時程（不早於 2028）在當前估值中尚未實質體現。（來源：機構B Research，2026-06-22）
面板供應鏈玩家進度總表（機構B 2026-07-26）
來源：機構B，2026-07-26。本份的觸發點是藍思科技宣布與 Intel 在玻璃芯基板合作；機構B 認為對市場情緒有幫助，但實質營收貢獻仍需時間。
| 廠商 | 合作對象 | 進度 | 量產時點（機構B checks） |
|---|---|---|---|
| 藍思科技（Lens Tech，300433.SZ） | INTC.US(intel) | 宣布合作開發含 TGV 的玻璃核心；機構B 認為其可能同時與其他潛在韓系廠商合作 | 2026 年底前備妥 pilot line；較具意義的量產出貨可能自 2H27 起 |
| 3481_群創（市）（機構B 原文寫 Innoux，應為 Innolux） | 2330_台積電（市） ＋ 4062.JP(ibiden) | 玻璃核心基板專案進行中 | 2H28 或 2029 |
| 京東方（BOE，000725.SZ） | 中國與北美 fabless 客戶 | 計畫 2027 年建置產能，順利的話 2028 年量產；企圖心是做完整條玻璃核心 ABF 基板製程 | 2028 |
| 2409_友達（市）（機構B 原文標 2049.TW，實際為 2409.TW） | — | 方向不同：聚焦玻璃用於 LEO 低軌衛星天線模組與 micro LED 光學模組，非玻璃核心基板 | 尚未聽到具體量產時間表 |
機構B 的技術判斷：
- 玻璃在先進封裝的多種可能用途中，目前絕大多數投入集中在玻璃核心基板。
- 面板供應鏈廠商在 TGV 與銅電鍍（copper plating）兩道製程上取得的進展較多——這正是他們既有本業能力可延伸之處。
- 但門檻不在設備能力，而在製程控制（process control）：先進封裝要求的精度與密度遠高於面板業慣常處理的等級。
- 機構B 的結論帶條件：若面板廠能持續改善良率，量產階段他們有機會吃下相對大一塊的附加價值。
玻璃的四項結構優勢（機構B 2024-10-27 深度報告口徑，本次重申）
①大尺寸帶來成本優勢；②更佳電性表現、訊號損耗更低；③不同材料間的 CTE 失配較小，可緩解翹曲；④機械強度更高，抵抗製造與運作中的變形。
本份報告的兩處代號疑義（已於上表標註，待核對）
機構B 原文將 Innolux 拼為「Innoux」，並把 AUO 標為 2049.TW（2049 實際為上銀科技，友達為 2409.TW）。本頁採正確代號並保留原文寫法備查。
技術瓶頸 / 風險
- 玻璃脆性：製程中破裂風險，良率挑戰
- TGV 成本：乾蝕刻設備與氣體成本高
- 大面積均勻性：面板級製程的鑽孔均勻性
- RDL 剝離 / 脫層（機構C 2026-05-21）：銅 RDL 與 ABF 介電層因 CTE 不匹配，在熱循環或機械處理後從表面剝落；是目前 Glass Core 量產的主要技術瓶頸之一
- BOM 成本目標：玻璃芯基板 BOM 成本需降至 USD 400/基板以下方能具競爭力（目前仍高於有機載板）
- 導入時程：主要 IC 載板廠（Ibiden、Samsung E-M）商業化進度緩慢；Broadcom Switch ASIC 是最早可能採用者（機構C：最快 2027F）
- 採用時程偏長：Corning 2026-05 call memo 指出半導體玻璃基板仍屬早期階段，大規模採用可能落在 2030 年以後；短中期投資主軸不宜過度提前反映玻璃基板營收。
- 面板廠玻璃封裝貢獻遞延：機構B 2026-06-07 TFT-LCD 報告認為玻璃用於先進封裝具長期成本與電性優勢，但供應鏈流程仍在優化，因此 2026-2027 年較難成為面板廠明顯營收貢獻。
兩大不確定性（機構C 2026-05-21）
- 成本與技術未解：TGV 小量試產仍可收 USD 400-500/片，使整片玻璃芯基板 ASP 可能超過 USD 1,500，顯著高於大尺寸 ABF 約 USD 200；量產至少需降至 USD 400/片才具成本競爭力。技術上，RDL 介電層剝離 / 脫層仍是載板廠瓶頸，玻璃、ABF、銅之間 CTE 不匹配與表面附著力屬於基礎物理問題，不只是工程微調。
- EMIB-T 排擠產能優先順序：Intel 對 Ibiden、Unimicron / 欣興、Shinko 等領先基板夥伴承諾強，促使基板廠優先為 技術_EMIB-T 共投擴產；在 ABF 與 EMIB-T 需求強勁下，玻璃芯基板產能投資可能被延後。
玻璃載板六大關鍵製程設備
| # | 製程 | 國際主要設備商 | 臺廠自主化階段 | 技術瓶頸重點 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | TGV 雷射改質 | DISCO（日）、Orbotech（以）、MKS（美）、Corning、Samsung | 系統整合與光路優化；雷射源仍仰賴進口 | 皮秒/飛秒超短脈衝雷射、波長選擇（355/532/1030nm）、能量穩定±1% |
| 2 | 蝕刻通孔（濕蝕刻） | MEC Company（日）、RENA、Manz（德） | IC 載板濕製程設備廠持續投入，可從化學配方+整機切入 | HF/HNO₃ 酸性 or KOH 鹼性，PTFE/石英耐腐蝕槽體；孔徑±3μm、AR 15:1~20:1 |
| 3 | AOI 光學檢測 | Camtek、Orbotech（以）、SCREEN（日）、Mycronic（美）、Onto Innovation | 已成熟，2.5D 檢測延伸；惟透明材料 < 3μm 缺陷 + 內層線路檢測仍待突破 | 多波段照明、AI 缺陷分類；玻璃透明性致對比不足 |
| 4 | 種子層 技術_薄膜沉積 鍍膜 | Evatec（瑞士）、Applied Materials（美）、ULVAC（日） | ITO/光電面板 PVD 經驗延伸，可導入磁控濺鍍 | 高真空 < 10⁻⁶ Torr、Ti/Cr 靶材、膜厚控制 < 5%；鍍膜均勻性目標 ≥ 98% |
| 5 | 電鍍銅填孔 | MacDermid Alpha（美）、UYEMURA（日）、MKS Atotech（德） | PCB / IC 載板電鍍經驗延伸；填孔模組化開發 | AR > 10:1 微孔填銅；多段電流密度、脈衝反轉、添加劑配方；雙面均勻沉積為升級重點 |
| 6 | 研磨（技術_CMP） | Applied Materials（美）、DISCO（日）、Okamoto | 半導體 CMP 經驗延伸；浮動真空載台、低應力 slurry | 厚度 < 100μm 玻璃易破片；TTV < 5μm（目標 3μm）；Cu/玻璃硬度差異致選擇性研磨難 |
自主化現況評估（TPCA 2026-05）
臺灣已具備自主化基礎：AOI 光學檢測、濕蝕刻模組整合、自動化系統、電鍍設備系統、研磨設備系統、精密機構設計、材料反應調控。 仍須仰賴國外：超短脈衝雷射模組、磁控 PVD 靶材模組、高階即時演算法軟體。 通孔孔徑已達 5μm，目標朝 ±3μm 精度與更高速加工提升；Via 真圓度 ≥ 90%、鍍膜均勻性 ≥ 95%（目標 ≥ 98%）。
臺廠六大製程設備商對應（2026-05 memo 補充）
| # | 製程 | 臺廠主要設備商 | 切入策略 / 進度亮點 |
|---|---|---|---|
| 1 | TGV 雷射改質 | 8027_鈦昇（櫃）、8064_東捷（櫃） | 鈦昇已切入 Intel 玻璃載板供應鏈驗證；東捷以面板修補雷射經驗轉攻大尺寸玻璃載板鑽孔 |
| 2 | 蝕刻通孔 | 6658_聯策（市）、2493_揚博（市）、6405_悅城（市） | 聯策主攻 PCB 藥劑+視覺自動化；揚博主攻精密化學蝕刻藥劑；悅城以面板玻璃化學減薄老牌切入 |
| 3 | AOI 光學檢測 | 3455_由田（櫃）、3535_晶彩科（市） | 由田為國內 AOI 龍頭，玻璃透光特性專用 2D/3D 檢測；晶彩科以面板檢測經驗轉攻 TGV 孔徑/垂直度量測 |
| 4 | 種子層 PVD 鍍膜 | 3580_友威科（櫃） | 真空濺鍍領導；玻璃孔壁銅種子層 |
| 5 | 電鍍銅填孔 | 3485_敘豐（櫃） | 濕製程電鍍自動化本土標竿，2026-05-06 興轉櫃 |
| 6 | CMP 研磨 | 5443_均豪精密（櫃） | 半導體設備聯盟核心，亞微米級平整度 |
AOI 段為 TPCA 報告明確點名「台廠具相對優勢」的環節；其他段台廠仍處追趕地位，需突破驗證平台、雷射光源進口依賴、電鍍液配方等核心門檻。 無股號廠商（暉盛/暉盛創、亞智 Manz、上儀、海納光電、誠霸、翔緯光電、豪逸達、波色、富臨、駿光、多米諾）詳見 供應鏈_玻璃芯基板。
NVIDIA / Broadcom 供應鏈確認（2026-07-06）
來源：機構V，2026-07-06
| 陣營 | 前段 TGV | 後段 ABF 增層 |
|---|---|---|
| NVIDIA | 3481_群創（市） | 3037_欣興（市） + Ibiden |
| Broadcom | 3481_群創（市）（推測） | 詳見 技術_TGV |
玻璃芯基板製程流程圖（2026-07-06 HackMD 驗證圖）
圖說：玻璃核心載板製程流程：玻璃基板 → TGV 成孔（雷射改質 + 蝕刻）→ 銅電鍍填孔 → ABF 增層（前段 panel 廠；後段 ABF 廠）。（來源：機構V，2026-07-06，© HackMD，版權圖）
ECTC 2026 進展檢核（SemiAnalysis 2026-07-02）
SemiAnalysis 觀察：玻璃光環今年略為黯淡，ECTC 創新論文減少；本屆數據仍支持「製造開發階段」定位而非高量產導入。
- SeWaRe 側向裂紋仍是未解問題：裂紋自切割後的玻璃邊緣在 RDL 應力下橫向擴展。Georgia Tech 做實驗表徵；Corning 以 FEA/peridynamics 建模發現剛性銅層把裂紋推向玻璃中面、柔性聚合物層可改變裂紋路徑，低 CTE 聚合物 + 適當玻璃選型可降風險
- STATS ChipPAC 74×74mm 玻璃芯封裝可靠度：無邊緣塗佈（edge coating）時每項測試全數失敗；加邊緣塗佈後全數通過，且翹曲 −33.5%。Build-up pull-back + 邊緣塗佈漸成玻璃芯組裝必要條件
- Intel 業界首發 510mm×515mm、24 層（10-2-10）玻璃芯 panel：TGV 全銅填孔 + 內嵌 2 個 EMIB 橋 + TGV 間共形成光波導；在既有有機載板產線加工，切單後熱衝擊測試無 SeWaRe
- Amkor / STATS ChipPAC（OSAT 採用方）：較薄玻璃芯 vs 有機參考基板量測到 30–40% 更低基板級翹曲，但組裝缺陷與 TGV 填孔問題顯示製程仍不成熟
圖說：Intel 510mm×515mm 24 層玻璃芯 panel 實照（斜視角）與 TGV 剖面特寫（銅填孔陣列）。來源：Intel, ECTC 2026 © SemiAnalysis
圖說：STATS ChipPAC 74×74mm organic vs glass 測試載具規格對照表——玻璃芯 8L(3-2-3)、core 0.6mm、TGV 90µm、總厚 0.92mm vs 有機 14L(6-2-6)、1.81mm。來源：STATS ChipPAC, ECTC 2026 © SemiAnalysis
與機構V（2026-07-06）樂觀敘事的對照
機構V描繪 NVIDIA/Broadcom 兩陣營積極導入（見上節），SemiAnalysis 從 ECTC 技術數據給出較保守判讀（SeWaRe 未解、TGV 填孔缺陷、仍屬製造開發期）。兩者時間尺度不同：供應鏈設備下單（2026 確認）與 HVM 良率成熟（2028+）並不矛盾，但投資上需區分「設備商營收先行」與「載板廠玻璃營收遞延」。
商業化時程
| 時間 | 里程碑 |
|---|---|
| 2026（確認） | NVIDIA 陣營：群創（前段 TGV）+ 欣興 + Ibiden（後段 ABF 增層）正式確認。Broadcom 陣營亦已在 2026 年確認。（來源：機構V，2026-07-06） |
| 2026-07-16（確認） | 台積電 2Q26 法說證實：現階段先進封裝主流仍是 CoWoS，正開發低成本替代方案（含 glass core／glass carrier）並與基板供應商合作；試產線（pilot line）已在建置中，估約需一年才會成熟，屆時可與客戶投入量產（來源：機構D，2026-07-16） |
| 2026（進行中） | 群創向 major foundry 供應 Glass Core + TGV，驗證模擬 ABF substrate 效益；TGV 良率為量產 gating factor（機構B，2026-06-22） |
| 2027 | 玻璃載板小量導入高階 AI/HPC 封裝；Broadcom Switch ASIC 最早採用者（機構C） |
| 2026-2027 | 機構B 認為玻璃先進封裝仍在流程優化期，對面板廠獲利貢獻有限 |
| 2028（最早） | Innolux 玻璃芯基板 meaningful revenue 不早於 2028（機構B，2026-06-22）；路線 CoWoS 起步→延伸 CoPoS |
| 2028 | Chip-Last FOPLP + 玻璃載板進入實質量產期 |
| 2030 | 玻璃載板於 IC 載板市場市占率 10–15%；3189_景碩（市） IR（2026-07-22）亦表示 Glass Core（Core layer 玻璃化）預計在 2030 年發生，先後順序上晚於 CoPoS carrier 應用，較該公司 5 月法說之 2028-2029 估計更保守，詳見 3189_景碩（市） 衝突提案 |
| 2030+ | Corning 管理層認為半導體玻璃基板可能進入大規模採用期 |
| 2030–2032 | 專家會議（2026-07-22）：Glass Interposer 屆時才可能成熟（自評較市場共識保守）；第一代 CoPoS（FOPLP 型態）2028 量產、陶瓷替代路線再晚 1–2 年 |
應用場景
- AI 加速器封裝：高功耗 GPU/NPU 的大尺寸封裝基板
- HPC 應用：低損耗高頻訊號傳輸
- Switch ASIC：Broadcom 被機構C 點名為 Glass Core Substrate 最早商業採用者（Switch ASIC 封裝），最快 2027F 量產；是全球玻璃芯基板進入量產的關鍵觸媒
- 記憶體封裝：取代部分 ABF 載板
台灣相關廠商
材料端
| 環節 | 廠商 | 角色 |
|---|---|---|
| 玻璃原材料 / 特殊玻璃 | GLW.US(corning) | 具熔融玻璃製程與核心材料技術，為長期玻璃基板機會卡位 |
| TGV 乾蝕刻氣體 | 4768_晶呈科技（櫃） | LADY 製程，深寬比 10:1 |
| 光阻/正型 PSPI | 1711_永光（市） | TGV 後絕緣材料 |
| 光阻/正型 PSPI | 1717_長興（市） | PSPI/光阻 |
| 負型 PSPI 顯影 | 4755_三福化（市） | 顯影材料 |
| 清洗劑 | 1773_勝一（市） | TGV 製程清洗 |
設備端
| 環節 | 廠商 | 角色 |
|---|---|---|
| TGV 雷射改質 | 8027_鈦昇（櫃） | Intel 玻璃載板驗證，每秒數千孔 |
| TGV 雷射改質 | 8064_東捷（櫃） | 大尺寸玻璃載板鑽孔 + 自動化搬運 |
| 蝕刻通孔 | 6658_聯策（市） | PCB 藥劑 + 視覺自動化 |
| 蝕刻通孔 | 2493_揚博（市） | 精密化學蝕刻藥劑與設備 |
| 蝕刻通孔 | 6405_悅城（市） | 玻璃化學減薄老牌大廠 |
| AOI 光學檢測 | 3455_由田（櫃） | 國內 AOI 龍頭 |
| AOI 光學檢測 | 3535_晶彩科（市） | 面板檢測轉攻 TGV 量測 |
| 技術_薄膜沉積 種子層 | 3580_友威科（櫃） | 真空濺鍍領導 |
| 電鍍銅 | 3485_敘豐（櫃） | 濕製程電鍍自動化標竿 |
| 技術_CMP 研磨 | 5443_均豪精密（櫃） | 半導體設備聯盟核心 |
相關技術
- 技術_TGV（玻璃芯基板的垂直導通孔與核心製程）
- 技術_EMIB-T（Intel 先進封裝路線，可能排擠基板廠玻璃芯基板產能優先順序）
- 技術_TSV（矽版通孔技術，Glass 版為 TGV）
- 技術_RDL（玻璃芯基板上的 RDL 製程）
- 技術_PSPI（TGV 後絕緣材料）
- 技術_薄膜沉積（TGV / RDL 種子層）
- 技術_CMP（玻璃載板平坦化）
2026-06-07 面板廠投資時程提醒
機構B（2026-06-07）將玻璃封裝視為面板廠潛在新業務，但明確提醒 meaningful contribution 需要時間。其理由是供應鏈仍在優化製程流程，且面板廠不是唯一想切入先進封裝玻璃市場的參與者。對 3481_群創（市） 這類面板廠，玻璃 / FOPLP 題材應與傳統 TFT-LCD 景氣拆開看：本業 3Q26 起可能面臨 TV 面板價格下行，而玻璃封裝尚不足以在 2026-2027 年抵銷本業週期。
玻璃四種封裝角色（機構L 講座 2026-07）
機構L 講座把玻璃在先進封裝的角色細分為四類，成熟度與價值遞增：
| 角色 | 功能 | 定位 |
|---|---|---|
| 玻璃（晶圓）承載板 Glass Carrier | 薄晶圓加工（背面 / TSV 顯露 / 混合鍵合）的臨時支撐 | 已用於 HBM 製造與 HBM4 混合鍵合，與 TCB 競爭；透明利雷射脫鍵、可重複使用；技術最成熟 |
| 玻璃面板載體 Glass Panel Carrier | 重組面板 / 大型封裝的面板式處理（FOPLP），含模具位移控制 | 剛性強、翹曲低，光學路徑對準；可轉移到其他製程提高產量 |
| 玻璃核心基板 Glass Core Substrate | 永久取代有機 IC 載板核心，1/1 µm 精細 RDL、高密度 P/G 垂直佈線 | CTE 可依成分（硼矽 / 鋁矽）定制，具嵌入 IC 基板與 CPO 潛力 |
| 玻璃中介層 Glass Interposer | 高電阻率、低損耗，內設 TGV + 1 µm 級 RDL | 多為被動式；連接 AI/HPC 與 2.5D/3D AP 及 CPO 的新橋樑；深寬比需求最高，量產最晚 |
玻璃核心材料對比（機構L 講座 2026-07）
講座列出主流先進封裝 TGV 玻璃 / 材料規格，關鍵在 CTE（越接近矽 2.6 / 有機 PCB 越平衡整體應力）、低 Df（高頻）、加工性：
| 品牌 | 型號 | CTE (ppm/K) | 楊氏係數 (GPa) | Dk@10GHz | Df@10GHz | κ (W/mK) | 特性 / 應用 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Corning | EXG SG 3.4 | 3.4 | 74.1 | ~5.2 | ~0.003 | ~1.0 | CTE 與 Si 一致，抗多晶粒（HBM/AI 加速器）高溫翹曲 |
| Corning | HPG/SG 8.3 | 8.3 | 77.0 | ~5.8 | ~0.004 | ~1.0 | PLP 用，CTE 介於矽與有機 PCB 之間平衡應力 |
| Corning | HPFS 7980（高純熔融石英） | 0.52 | 72.7 | 3.7 | <0.0001 | 1.38 | 火焰水解合成石英，近零 CTE，光罩 / 高頻 RF / 矽光子 TGV 頂級載體 |
| AGC | AN 100 | 3.8 | 77.0 | ~6.1 | ~0.006 | ~1.1 | 無鹼環保玻璃，高平整 / 高模量 / 耐高溫，高密度封裝玻璃核心 |
| AGC | AQ Series | 0.5 | 73.0 | ~3.8 | <0.0001 | ~1.38 | 高純 SiO₂，超低 CTE / 超低介電損耗，矽光子 CPO / 高頻 RF |
| Schott | BOROFLOAT 33 | 3.3 | 64.0（最好加工） | ~4.6 | ~0.004 | 1.2 | 高硼矽，化學穩定 / 耐熱衝擊，感測器 / MEMS WLCSP / TGV 實驗 |
| Schott | AF 32 eco | 3.2 | 74.8 | ~5.1 | ~0.005 | 1.16 | 超低 CTE，可微米級超薄，直接作 2.5D/3D 玻璃中介層 |
| Wolfspeed/Coherent | 4H-SiC 單晶碳化矽 | 4 | 460（最難加工） | 9.7（致命缺點） | ~0.005 | 370-490（優點） | 極高導熱 / 模量，Power Module 用；蝕孔與 CVD 介電成本為取代 Si/玻璃的關卡 |
玻璃核心基板厚度佔 IC 載板總厚約 60%（目前 500-1500 µm，業界續減薄），玻璃芯最大基板尺寸約 240×240 mm²；肖特（Schott）BF33 為浮法硼矽代表，康寧、AGC、Schott 為原料玻璃切入者。 專家會議（2026-07-22）補充：商用合適型號 Corning 佔三款、SCHOTT 兩款、HOYA 與 AGC 亦有；共通弱點為熱導率偏低（散熱是 3D 封裝可靠性驗證最大挑戰），唯 SiC 類材料導熱佳——講師認為 SiC 更可能取代 EMIB 中的矽橋（HBM–SoC 互連、訊號量大需散熱）而非整片板材，可能成為下一代 EMIB-T 的變形，前提是解決邊緣加工。 陶瓷基板為潛在替代：京瓷、日本電氣硝子（NEG）已投入特殊陶瓷取代玻璃研究（另有台灣載板廠對 TGV 沒興趣、改押陶瓷）；優點是避開玻璃難加工，瓶頸在大尺寸燒製，講師估時程比玻璃路線再晚 1–2 年。陶瓷通孔技術見 技術_TCV。
增層材料與平衡膜（機構L 講座 2026-07）
玻璃核心兩側沿用有機 IC 載板的 ABF + RDL 對稱增層（每層介電約 5-15 µm）；味之素 ABF 引領，關鍵要求為與玻璃良好附著、Tg ≥ 200°C、低 Df/Dk。ABF 系列規格：
| ABF | GX | GX-T | GZ | GL |
|---|---|---|---|---|
| CTE (ppm/K) | 39 | 23 | 20 | 20 |
| Tg (°C) | 153 | 156 | 176 | 153 |
| Dk | 3.2 | 3.4 | 3.3 | 3.3 |
| Df | 0.018 | 0.014 | 0.0074 | 0.0044 |
味之素以奈米填料新配方（ABF GL / GX 系列）提升精細 L/S 圖案化與對玻璃附著性；挑戰味之素領先地位的新進者包括晶化科技、積水化學、LG 化學、住友電木（Sumitomo Bakelite）與新創 Thintronics。ABF 材料規格不斷改變，某種程度放慢了玻璃核心基板商業化進程。 抗翹曲平衡膜（Balance Film）是 PLP / CoPoS 的暫時性抗翹曲護航材料（Low-CTE PI / Standard PI / PEN / LCP / PEEK），與永久介電 PSPI 分工——詳見 技術_Balance_Film。
玻璃裂痕類型與抑制（機構L 講座 2026-07）
玻璃脆性 + 玻璃 / 附著層 / 晶種 / 銅 / 介電多材料 CTE 差異，在疊層 / 熱循環 / 切割下產生熱機械應力致裂：
| 裂紋類型 | 成因 |
|---|---|
| 徑向裂縫 Radial | 加熱時過孔膨脹 → 玻璃內拉伸環向應力 |
| 環向裂縫 Circumferential | 冷卻時過孔收縮 → 玻璃內拉伸徑向應力 |
| SeWaRe 失效 | 源自切割邊緣缺陷的內聚裂紋，機械切割後不久出現、可貫穿玻璃核心 |
| 垂直裂紋 Vertical | 熱機械應力作用下 |
專家會議（2026-07-22）補充裂因：崩孔、CMP 中水分滲入微裂縫（TCT 升降溫時蒸發、壓力升高致破裂）、介面附著問題；並引 3481_群創（市） 長期研究（多篇論文）：裂紋主要出現於 C4 凸塊而非 micro bump——玻璃熱穩定性佳使 micro bump 問題不大，C4 凸塊在製程中產生 microcrack 才是較大問題。CTE 參考值：玻璃 ~3.9（一般 3.4–3.7）、Si ~2.6、Cu ~16（銅是最大失配源）。
抑制手段：更薄增層（降裂紋擴展能量）、CO₂ 雷射熱預 / 後處理修復缺陷、切割後裸玻璃邊緣塗佈（結構支撐 + 防潮 + 施壓應力）、增層膜自切割邊緣回縮（Build-up film pull-back，降自由邊緣應力）。此與既有 SemiAnalysis ECTC 2026 觀察（邊緣塗佈使 STATS ChipPAC 全數通過、翹曲 −33.5%）一致。
玻璃核心基板發展路線圖（機構L 講座 2026-07）
| 參數 | 2025/2026 | 2027 | 2028 | 2029 | 2030+ |
|---|---|---|---|---|---|
| 增層數 | 10 | 12/14 | 16 | 18 | — |
| TGV AR（金屬化） | 1:5 | 1:8 | 1:10 | >1:10 | — |
| 基板大小 (mm) | 120-150 | 150-180 | 180-200 | >200 | — |
| 線寬 / 線距 L/S (µm) | 5/5 | <5/5 | — | — | 2/2 → <2/2（2030 後 HVM） |
GCS 定位補完高階有機 IC 基板不足（現高階有機已達 26 層）；生態系採穩健步調朝 1:5 AR 前進（AR 增則金屬化填充問題指數上升），先以 120 mm 級切入再向「更大 / 更小」雙向發展。DNP 已展示玻璃上 1/1 µm L/S，但整體平均能力仍在 5/5 µm。
Intel EMIB 玻璃核心基板（NEPCON 2026）
機構L 講座引 2026 年日本 NEPCON 展會 Intel 展示的高性能玻璃核心基板（有別於既有 ECTC 2026 揭露的 510×515mm 24 層 panel）：
- 基板尺寸 78×77 mm²（矽 reticle 的 2 倍）、上下各 10 層 RDL（ABF 增層）、內嵌 2 個 EMIB
- 玻璃無微裂紋（No SeWaRe）
- TGV：孔徑 75 µm、孔深（板厚）標稱 800 µm（實測推測僅 ~625 µm）、AR 標稱 10.6（推測實際 8.3）、μbump pitch 45 µm
供應鏈
→ 供應鏈_玻璃芯基板 → 供應鏈_半導體製程設備
圖解
圖說：封裝基板演進四格剖面圖：(a) 有機芯基板 2D →(b) 玻璃芯基板 2D →(c) 玻璃芯中介層 2.5D →(d) 玻璃芯 3D → 3.5D IC 整合（Cu-Cu 混合鍵合、TSV-interposer）；以玻璃芯 / TGV+RDL 取代矽中介層與有機載板，降低 RC time delay。（來源：機構L 講座，2026-07）
圖說：Intel 玻璃核心基板（NEPCON 2026）——上為 TGV 陣列 SEM 剖面（附 75 µm 比例尺）、左下封裝實品照、右下 TGV 剖面微觀照；78×77 mm² 基板、上下各 10 層 RDL、內嵌 2 個 EMIB、No SeWaRe。（來源：機構L 講座，2026-07）
圖說：機構C 估算玻璃芯基板 BOM 成本與 ABF 對比；試產 TGV 製程成本仍高，使整片玻璃芯基板成本顯著高於大尺寸 ABF，量產需大幅降本。
圖說：TGV 三大應用規格表：轉移玻璃/玻璃芯基板/玻璃中介層，CTE 係數、孔徑、深寬比比較，主要玻璃供應商（AGC、SCHOTT、Corning）。
圖說：TGV + Glass Core Substrate 製程流程圖（23 道製程）：雷射改質→成孔→鍍銅→RDL 佈線。
來源
- 機構B，2026-07-26；藍思科技×Intel 玻璃核心合作、面板供應鏈四家進度總表（藍思 pilot line 2026 年底／量產 2H27；群創×台積電×Ibiden 2H28-2029；BOE 2027 建產能、2028 量產；友達走 LEO 天線與 micro LED）；瓶頸在製程控制而非設備能力
- 機構V，2026-07-06；NVIDIA/Broadcom 陣營供應鏈確認
- 機構V，2026-07-06；玻璃核心載板製程流程圖（圖二已驗證）
- 機構N，報告日：2026-03（材料供應鏈）
- 呂紹旭玻璃載板 FOPLP 報告，報告日：2026-05-08（六大製程設備、自主化評估）
- 玻璃載板 FOPLP 台廠設備 memo，2026-05-10（臺廠六大製程設備商對應）
- Corning 線上會議，2026-05-12（Corning 管理層對玻璃基板採用時程觀察）
- 機構C，2026-05-21（Broadcom Switch ASIC 先行採用、RDL 脫層技術瓶頸、BOM 成本目標 USD 400）
- 郭明錤解讀，2026-06-11（PI 提升機制、BOM 1–5% 佔比 vs 封裝良率損失 5–10×、味之素 GL107/24–28 層、三層 oS 結構）
- SemiAnalysis，2026-07-02（SeWaRe 裂紋、STATS ChipPAC 邊緣塗佈必要性、Intel 510×515mm 24 層玻璃 panel、Amkor/STATS 翹曲 −30~40%）
- 機構D，2026-07-16（台積電管理層證實仍以 CoWoS 為主流，玻璃基板降本試產線建置中，估約一年成熟）
- 機構L 講座，2026-07-21（玻璃四種封裝角色、玻璃核心材料對比表 Corning/AGC/Schott/SiC、ABF GX/GZ/GL 規格與新進材料商、玻璃裂痕四類型與抑制、GCS 發展路線圖 2025-2030、Intel NEPCON 2026 EMIB 玻璃核心基板）
- 機構O，2026-07-21（SBR Technology 西尾俊彥獨立訪查：逐廠玻璃芯量產進度盤點 Absolics/Ibiden/Shinko/Unimicron/SEMCO/DNP、2030 年前量產仍困難、JPCA Show 2026 台積電-Ibiden-Innolux 合作第三方佐證）
- 專家會議，2026-07-22（兩代路線定義、core/interposer 邊界與視角差異、500 µm 甜蜜點、尺寸停留 310 級判斷、Interposer 先於 Core 之反共識觀點、Glass Interposer 2030–2032、HOYA 入列、SiC 取代 EMIB 矽橋、陶瓷替代晚 1–2 年、群創 C4 凸塊裂紋研究）
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