基本資料
台積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, TSMC）是全球專業晶圓代工龍頭，成立於 1987 年。產品橫跨先進邏輯製程（N3 / N2 / A16 / A14 / A12）、特殊製程與先進封裝（CoWoS / SoIC / SoW / CoPoS / WMCM）。客戶涵蓋 NVIDIA、AMD、Apple、Broadcom、Mediatek 等全球頂尖 IC 設計與系統公司，AI / HPC 是當前最強需求來源，Apple 2nm 世代則是 技術_WMCM 從 InFO 升級的重要觀察線。2Q26 法說（2026-07-16）後管理層將 2026 全年營收 guidance 上修至 40%+ YoY（美元口徑）、capex 上修至 US$60-64bn；市場預期 2026E 每股盈餘同步上修、ROE 可望達 44% 以上（詳見下方財測統計）；技術論壇（2026-05-14）揭露 18 廠擴張、N2 平台家族與 A16 Super Power Rail 路線。
核心技術／競爭優勢
- 先進製程平台家族：N2 已於 2H25 risk production，N2P 2H26 量產、N2X 後續推進；A16（AI/HPC 關鍵節點，Super Power Rail 背面供電架構，相對 N2P 速度 +8-10% 或功耗 -15~20%）、A14（vs N2 速度 +10-15% 或功耗 -25-30%，256Mb SRAM 良率 >80%；試產 2027、量產 2028，管理層預期家族規模與生命週期將勝過 N2）、A13（光學微縮、IP 相容 A14，>6% 面積節省）／A12（新增 Super Power Rail）目標 2029、N2U 2028；CFET SRAM 比 Nanosheet 縮 30%。
- 先進封裝 3DFabric：CoWoS reticle 5.5x 良率 98%，2027 擴 9.5x，2028 擴 14x（容納 20 HBM），2029 擴 24 HBM；SoIC 2027-2028 大幅增加；SoW Super Exchange 整合 64 HBM + 16 CoWoS，>40x reticle，100TB+ 頻寬；CoPoS 2029-2030 跟上；COUPE 緊湊型通用光子引擎將取代銅線互連。
- WMCM / InFO 升級：2026-05-26 專家調研稱 AP7 P1 目前擴 技術_WMCM，主要客戶為 Apple，InFO 產能逐步減少並轉向 WMCM；Apple 訂單季節性使台積電需要透過提前交貨平滑產能。
- AI 製造生態系：完整 AI supply-chain 整合是 TSMC 最深的競爭壁壘，與 Intel EMIB-T 區隔（EMIB-T 高度依賴 ABF 載板生態系成熟度）；可預測良率、cycle time、defect density、wafer cost 為長期優勢；公開表態至 2029 不急需 High-NA EUV。
- 全球產能擴張：18 座新廠 / 改建中（含 5 座先進封裝廠），12 座位於台灣；2025-2026 每年新增 9 座（2017-2024 為每年 4 座）；亞利桑那 Fab1 2026 產出 1.8x、熊本 Fab1 2026 產出 2.3x。
- 2027F capex 與在地化採購：市場研究（機構C，2026-05）指出 TSMC 全球已有 26 座先進晶圓廠 / 先進封裝廠 ramping up 或規劃中，其中 18 座在台灣；管理層在 2026 年初法說表示 2026-27 先提升生產力，2028-29 開始顯著增加產能。市場預估 2027F capex 可達約 USD70bn，主因台灣與海外超過 10 座新廠模組同時擴張。
- 玻璃基板降本布局：2026-07-16 法說管理層證實現階段先進封裝主流仍是 CoWoS，但正開發低成本替代方案並與基板供應商合作導入玻璃技術（glass core / glass carrier）；試產線（pilot line）已在建置中，估約需一年才會成熟，屆時可與客戶投入量產。詳見 技術_玻璃芯基板。
- High-NA EUV 採用三要素：管理層 2026-07-16 法說重申，High-NA 曝光場尺寸僅傳統 EUV 一半，公司已將此納入製造成本評估；是否採用取決於「技術」「成熟度」「成本」三項考量，與 ASML.NL(asml) 持續合作提升 High-NA 成本與成熟度。詳見 技術_High-NA EUV。
產品與應用
| 製程 / 服務 | 應用 | 主要客戶 |
|---|---|---|
| N3 / N3P / N3A / N3X / N3C | AI 加速器、HPC、Premium Mobile | NVIDIA、Apple、AMD |
| N2 / N2P / N2X / N2U | AI / HPC 旗艦、伺服器 CPU | NVIDIA、Broadcom、Mediatek、Apple |
| A16 / A14 / A12 / A13 | AI 加速器（背面供電）、下世代 HPC | NVIDIA、AI ASIC 客戶 |
| CoWoS-S / CoWoS-L / SoIC / SoW / CoPoS | AI GPU / ASIC 先進封裝、HBM 整合 | NVIDIA、AMD、Broadcom、Mediatek |
| WMCM / InFO | 行動 SoC / 多 die fan-out 封裝 | Apple |
| N4PRF / N16HV | RF / 高壓 / AI 智慧眼鏡 AR | 邊緣 AI、AR 廠商 |
| RRAM / MRAM | 車用、AI 智慧眼鏡、邊緣 AI（取代 eFlash） | 車用 / 邊緣 AI |
圖片 / 架構圖
flowchart LR
A[N3 量產] --> B[N2 risk production 2H25]
B --> C[N2P 量產 2H26]
C --> D[A16 + Super Power Rail]
D --> E[A14 SRAM 80% 良率]
E --> F[A12 / A13 2029]
F --> G[N2U 2028]
H[CoWoS 5.5x reticle] --> I[CoWoS 9.5x 2027]
I --> J[CoWoS 14x 2028<br/>20x HBM]
J --> K[SoW Super Exchange<br/>64 HBM / 100TB+]
EPS 記錄
| 季度 / 年度 | EPS (NT$) | 備註 | 來源 |
|---|---|---|---|
| 2024A | 45.24 | ROE 30.3% | 機構A，2026-05 |
| 2025A | 66.24 | ROE 35.4%、YoY +46.4% | 機構A，2026-05 |
| 2Q26A | 27.25 | QoQ+23.4%、YoY+77.4%；ROE 45.9%；營收 US$40.20bn（NT$1,270.38bn，YoY+36.0%），QoQ+12.0%/YoY+33.7%；GM 67.7%（+1.5ppt QoQ）、OPM 60.3%（+2.2ppt QoQ），均優於財測高標（GM guidance 65.5-67.5%、OPM guidance 56.5-58.5%） | 公司法說，2026-07-16 |
EPS 預估
| 項目 | 市場預估 |
|---|---|
| EPS 2026E(市場) | 平均 109 / 中位 109.5 / 區間約 104.5–111 元(n=8,2026/07) |
| EPS 2027E(市場) | 平均 146 / 中位 145.5 / 區間約 134.5–159.5 元(n=8,2026/07) |
| EPS 2028E(市場) | 平均 185 / 中位 182 / 區間約 150–210.5 元(n=8,2026/07) |
彙整自公開市場研究資訊之統計值,非投資建議。
市場對 2026-28E EPS 看法分歧主要來自 capex／GM／先進封裝產能假設差異；機構口徑（ModelWare／自有模型）與市場一致預期（consensus）方法論不同亦造成數字落差，統計表已依機構別分組彙整。
財測假設
財測的推導鏈與關鍵假設（機構觀點已改寫、匿名化；個別機構評等與數字不公開，市場預估統計詳見上方 EPS 預估）。
| 來源（月份） | 推導邏輯 | 關鍵假設 |
|---|---|---|
| 機構A（2026-07） | 製程規模＋先進封裝平台＋wafer pricing 上行 → 財測上修 | GM 2026-28E 逐年上行至高 60% 區間；capex 2026E 約 US$55-62bn、2027/28E US$75-86bn；N3 end-2028 >200kwpm；N2/A16 end-2028 ~150kwpm；A14 2028 初始 50kwpm；銷售 CAGR >35%（2025-28E） |
| 機構E（2026-07） | 前段（N3/N2）+ 後段（CoWoS）產能雙升＋GM 更高 → 財測上修 | GM 上修至 66.9%/67.0%/67.5%；capex 2026E US$56-64bn、2027/28E US$78bn/82bn；N3 end-2027 200kwpm；N2 end-2027 140kwpm；CoWoS（含 WMCM）年產能 2026-28E 大幅擴增；5nm 以下佔晶圓營收 2026-28E 69%/75%/82% |
| 機構B（2026-06~07） | Fab18 P10-12 改 2nm 配置＋2027 leading-edge 漲價 5-10%＋capex 增量拆解（設備通膨＋設備預付款）＋AI 半導體營收 CAGR 上修至 70-80% → 財測上修 | N3→2nm 工具轉換新增 60kwpm；wafer pricing +5-10% yoy into 2027；先進封裝 CoWoS 優先、SoIC 延後；管理層表示關鍵客戶已分享五年產能規劃，隱含未來五年維持主要供應商地位 |
| 機構H（2026-06~07） | ASML 設備 guidance 上修連動既有 EUV scanner 升級 → 3 年 capex 估上修 | 2026-28E capex 自估上修；美國 capex 追加至約 US$265bn（4 座新廠）；CoPoS R&D line 已就緒，估 2028E 顯著加速放量，不排除 2H27E 提前拉貨；長期 GM 估維持高 60% 區間 |
| 機構G（2026-07） | 2Q26/3Q26 業績前瞻：先進節點供需吃緊＋漲價＋capex 大幅上修 → 財測上修 | 2Q26 營收 QoQ+12%（貼近財測高標）；3Q26 GM 穩定；blended ASP QoQ+9%（3Q26）；2026 capex 上修；先進製程 wafer pricing 2026 blended 明顯 YoY 上升 |
| 公司 guidance（2026-07-16 法說） | 法人 Q&A 直接引用管理層口徑 | 3Q26 營收 guidance QoQ+12%、YoY+37%；3Q26 GM guidance 65-67%（N2 快速放量影響 GM 3-4ppt）；3Q26 OPM guidance 56-58%；2026 全年營收 guidance 上修至 40%+YoY（美元口徑）；2026 capex 上修至 US$60-64bn（原 US$52-56bn） |
| 機構A（2026-07-16 review） | 2Q26 實績優於指引＋AI 需求擴大至 CPU/ASIC/網通 → 財測上修，capex 自估同步上調 | GM 2026-28E 上修；capex 自估 US$62bn/77bn/86bn（2026-28E，高於官方 guidance 中值）；N2 家族產能 CAGR >70%（2026-28E） |
| 機構D（2026-07-16，首次覆蓋） | 稼動率 × Blended ASP × 晶圓出貨量三因子模型；agentic AI 帶動 CPU 需求優於預期 → 財測上修 | 產能利用率 2026/27/28E 90%/99%/100%（2025A 80%）；Blended ASP（US$）逐年提升；晶圓出貨（8吋等值）逐年成長 |
| 機構E（2026-07-16 review） | 3Q26 GM 韌性優於 N2 稀釋隱含幅度＋定價逐步反映成本通膨 → 財測與 capex 假設同步上修 | GM 微幅上修；2027 起模型化中低個位數 wafer 漲價；2026E capex 上修至 US$64bn（前 US$56bn），2027/28E 維持不變 |
| 機構F（2026-07-16 review） | 出貨量與 ASP 上修（agentic AI 新增 CPU 需求腿）→ 四家中營收/EPS 假設最積極 | 2026E 營收 YoY+44.3%、2027E 營收 YoY+49.3%（顯著高於同業同期假設） |
資訊衝突／口徑差異
部分機構報告正文一處稱 NVIDIA Feynman GPU HVM 為「mid-2028E」，但前段摘要曾寫「mid-2027E」。本頁保留正文產能表與後段敘述的 2028E 口徑，後續需以台積電或 NVIDIA 正式時程交叉查證。
Capex 2027E 各機構口徑不一：各機構預估區間約 US$75-84bn（2028E 約 US$80-94bn）——皆為機構預估非公司指引，並列追蹤，7/16 法說驗證。
2026 capex 官方 guidance 上修（2026-07-16 已驗證）：7/16 法說管理層將 2026 全年 capex guidance 由 US$52-56bn 上修至 US$60-64bn，已高於多數機構 7/16 前瞻預期。
3Q26 官方營收 guidance 區間轉述略有出入：不同機構轉述的公司口徑數字下緣一致（US$44.6bn），上緣有約 US$0.6bn 差異，屬不同分析師聽打／轉述誤差或四捨五入，非官方數字本身分歧；以官方簡報或逐字稿正式公布版為準（待核對）。
ECTC 2026 技術發表（SemiAnalysis，2026-07-02）
- micropillar 直達矽液冷（CoWoS-R 平台）：3.3× reticle 測試載具（4 SoC + 8 HBM）實測——micropillar 直接成形於 SoC die 背面，4kW @4LPM、5.3kW @8LPM（傳統帶蓋冷板僅 1.9–2.3kW 且 >4LPM 飽和）；通過 MSL4，無洩漏/密封剝離。詳見 技術_晶片內微流道冷卻
- GUC 合作 CoWoS-R 8 層 RDL UCIe-A：64-bit @32GT/s 實測眼寬 0.77UI，驗證有機中介層可跑高速 chiplet 互連（見 3443_創意電子（市）、技術_RDL）
- 注意訊號：台積電本屆 ECTC 僅 3 篇論文（vs Intel 12 篇、Samsung 11 篇）——SemiAnalysis 點出台積電技術揭露轉趨保守，先進封裝競爭情報能見度下降
- 競爭對照：Intel EMIB-T 已驗證 36/35µm bump pitch、展示 240×240mm quarter-panel 載具，SemiAnalysis 判斷 EMIB-T 是 CoWoS 在大封裝 AI 加速器上最可信的替代方案，但台積電在 DTC/eDTC、整合穩壓器與主動 LSI 仍領先（見 技術_EMIB-T）
時間軸
本表為公司自身 roadmap（製程節點／先進封裝／擴產）。市場財測沿革見「EPS 預估」「財測假設」，法說業績見「成長動能／催化劑」。
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2H25 | N2 進入 risk production | 製程 | ⭐⭐⭐ | Fab20 寶山 + Fab22 高雄 |
| 2026 | 亞利桑那 Fab1 產出 1.8x；熊本 Fab1 產出 2.3x | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 海外產能放大 |
| 2026 | CoWoS 產能大幅擴增；4Q26 達 120k WPM | 先進封裝 | ⭐⭐⭐ | AI 需求驅動 |
| 2026 | AP7 P1 擴 WMCM，InFO 逐步轉向 WMCM | 先進封裝 | ⭐⭐ | 專家調研稱主要客戶為 Apple；需追蹤 AP7 / AP3 產線改造與 CP / FT 分工 |
| 2026 | AP7 由原規劃 SoIC 主力改為以 CoWoS 為主；AP8 將以 CoWoS 為主 | 路線轉向 | ⭐⭐⭐ | 對先進封裝材料/設備供應商成長動能重新分配 |
| 2026 | COUPE 進入量產放量階段 | 矽光子 | ⭐⭐⭐ | 2026-07-16 法說：未來數年重要性持續提升 |
| 2026H2 | N2P 量產、亞利桑那 Fab2 機台進駐 | 製程 | ⭐⭐⭐ | N2 平台家族擴大 |
| 2026 起 | 追加投資美國 Arizona（AZ 總投資達約 US$265bn），估增 4 座新廠；N3 新增 3 座新廠（台灣/AZ/日本各一），台灣興建 13 座先進製程廠房 | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 2026-07-16 法說宣布；時程未定，管理層表示 ASAP |
| 4Q26 → 4Q27 | CoWoS 產能自 120k 擴至 180k WPM 區間 | 先進封裝 | ⭐⭐⭐ | OSAT 同步擴產分食 |
| 2027 | A14 試產（第二代奈米片） | 製程 | ⭐⭐⭐ | 量產 2028；管理層預期 A14 家族規模與生命週期勝過 N2 |
| 2027 | CoWoS 擴至 9.5x reticle（12x HBM4E）；SoIC 大幅增加 | 先進封裝 | ⭐⭐⭐ | 持續高速擴張 |
| 2027E | 先進節點新增產能估約 150 kwpm；Fab18 P9 裝機，P10 延至 2028E 後 | 擴產 | ⭐⭐ | P10-12 較原積極假設慢 6-9 個月 |
| 2027E | 玻璃技術（glass core / glass carrier）pilot line 成熟，可與客戶投入量產 | 先進封裝 | ⭐⭐ | 2026-07-16 法說：pilot line 建置中，估約需一年成熟；詳見 技術_玻璃芯基板 |
| 2027H2 | 亞利桑那 Fab2 N3 量產 | 製程 | ⭐⭐ | 美國 N3 供應 |
| 2028 | A14 量產；N2U 推出；Fab25 台中 N2 量產；CoWoS 14x reticle（20x HBM） | 製程/封裝 | ⭐⭐⭐ | AI 系統規模再放大 |
| 2028E | CoPoS 顯著放量（不排除 2H27E 提前拉貨） | 先進封裝 | ⭐⭐ | R&D line 已就緒，約需 1 年成熟方進 HVM |
| 2028-2029 | 產能顯著增加 | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 管理層 2026 年初法說：2026-27 提升生產力，2028-29 開始顯著增加產能 |
| 2029 | A13（光學微縮、IP 相容 A14）／A12（新增 Super Power Rail）量產目標；CoWoS 24 HBM | 製程 | ⭐⭐⭐ | 背面供電 + 光電互連世代 |
| 2029-2030 | CoPoS 量產啟動；SoW Super Exchange（64 HBM + 16 CoWoS，>40x reticle） | 先進封裝 | ⭐⭐⭐ | 玻璃芯基板 + 異質 3D 積層；有機基板封裝下一代演進 |
→ 跨公司比較詳見 時程_2026_先進封裝產能、技術_先進製程
供應鏈位置
- 所屬環節：#環節/晶圓代工，核心是邏輯製程與先進封裝。
- 主要客戶：NVIDIA、Apple、AMD、Broadcom、Mediatek、Qualcomm 等全球 IC 設計龍頭。
- 上游供應商：ASML.NL(asml)（EUV／High-NA EUV，訂單能見度已達 2028 年）、Applied Materials / Lam（製程設備）、Ibiden / Shinko / 欣興（ABF 載板）、Cadence / Synopsys（EDA）、各特殊化學耗材廠。
- 在地化採購：TSMC 近十年將全球在地化採購範圍擴至設備、零組件、原料、廠務系統、自動化、物料六類，涵蓋台灣、中國、南京、Washington、Arizona、JASM 等主要生產基地。市場研究認為 TSMC Arizona 將成為間接原料成長驅動；但因先進製程對矽晶圓規格要求高，TSMC 尚未恢復「原料在地化」目標，6488_環球晶圓（市） 仍有技術能力與認證提升空間。
- 台股關聯：3037_欣興（市） 載板、7887_宇川精材（興） ALD 前驅物、1717_長興（市） PSPI、8028_昇陽半導體（市） 晶圓再生與薄化、6223_旺矽（櫃） / 6510_精測（櫃） / 7828_創新服務（櫃） 測試介面與植針自動化。
- 技術關聯：技術_CoWoS、技術_SoIC、技術_SoW、技術_CoPoS、技術_WMCM、技術_SiPh、技術_BSPDN、技術_EMIB-T（競爭對位）。
- 後段封裝外溢（OSAT outsourcing）：使用者自估（2026-07）指出 TSMC 因後段毛利偏低、資源集中前段與 CoW，目前約六成 on-substrate 產能外溢至 OSAT，比重仍有機會上修至七成、甚至八成，HBM 貼裝亦約四成釋出；外溢訂單過往約以 60:40 分配予 3711_日月光投控（市） 與 Amkor（尚無 lib 頁），現階段「產能為王」，日月光擴產態度最積極、份額具上行空間。信心中（待核對）。
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| NVDA.US(nvidia) | 主要客戶 | AI GPU / ASIC，主導 CoWoS 需求；GB300 → VR200 過渡 |
| ASML.NL(asml) | 上游 / 微影設備 | EUV／High-NA EUV 獨家供應商，訂單能見度已達 2028 年；台積電為 EUV 主要採購客戶 |
| 3711_日月光投控（市） | 下游 / OSAT 外溢夥伴 | on-substrate 封裝外溢主要承接者（約六成，估計可上修至七至八成），與 Amkor 分食 |
| Intel | 競爭對手 / 替代封裝 | Intel EMIB-T 為 CoWoS-L 替代方案；高度依賴 ABF 載板生態系；客戶 dual sourcing 評估；市場點名 MediaTek 為 Intel EMIB-T TPU 專案主要使用者 |
| Apple、AMD、Broadcom、Mediatek | 主要客戶 | 長期平台決策已鎖定 2026/2027/2028；Mediatek TPU 在 EMIB-T 進展為觀察指標 |
| GOOGL.US(alphabet) | 客戶（間接，經 Broadcom/聯發科） | Google TPU 各世代 die 由台積電代工＋先進封裝；2Q26 法說重申 2027 年資本支出仍將顯著增加 |
| TSLA.US(tesla) | 客戶 | 2Q26 法說原文點名台積電於亞利桑那州建置晶圓廠支援 AI 晶片（AI4/AI5/AI6、Optimus）需求 |
| 3037_欣興（市） | 上游 / ABF 載板 | EMIB-T 滲透對 ABF 載板廠加分；Ibiden / Shinko / Unimicron 並列 |
| 6669_緯穎（市） | 下游 / ODM | AI 伺服器系統整合 |
| 6223_旺矽（櫃）、6510_精測（櫃） | 測試介面 | MEMS 探針卡 / Probe PCB / Load Board |
| 7828_創新服務（櫃） | 設備供應 | 植針自動化、TGV-ICP（與台積維修升級洽談中） |
| 7887_宇川精材（興）、1717_長興（市）、8028_昇陽半導體（市） | 上游耗材 | ALD 前驅物 / PSPI / 晶圓再生 |
| 6488_環球晶圓（市） | 上游 / 矽晶圓 | 市場研究認為 TSMC 尚未恢復原料在地化目標，顯示台灣矽晶圓廠在先進節點規格與認證仍有提升空間 |
| 4755_三福化（市） | 上游 / 特化耗材 | CoWoS Stripper；TMAH 回收 8 吋（5 月交貨）、12 吋（2026 年底認證、1Q27 供貨）；熊本 TMAH 前處理廠 |
| 2464_盟立（市） | 上游 / 智能物流 | OHT/Stocker/Panel Handling 多尺寸搬運解決方案，支援 CoWoS / CoPoS / CoWoP 產線 |
風險與注意事項
- 客戶 dual sourcing：Apple / NVIDIA / Broadcom 等可能評估 Intel 18A / 14A 並嘗試 EMIB-T 封裝；雖然平台轉換成本高、短期不會大量遷移，但需持續監控。
- CoWoS / 先進封裝產能瓶頸：AI 需求若超過產能擴張節奏，可能拖累出貨節奏與報價彈性。
- 資本支出與折舊壓力：2026E capex 官方 guidance 已上修至 US$60-64bn（2027/28E 市場估 US$75-86bn），折舊持續攀升；若毛利率擴張速度不如預期，淨利成長可能放緩。
- 匯率與地緣政治：NTD 升值、美中科技管制、海外建廠成本上揚都是潛在壓力。
來源
- 公司技術論壇，2026-05-14
- 使用者整理，2026-05
- 機構C 產業筆記，2026-05；TSMC fab expansion plans 整理
- 機構C，2026-06-30（Anchor Report）；CoWoS／AI 營收／capex／EPS 假設
- 機構E，2026-06-15；美國法人行銷回饋，聚焦 pricing power／profitability upside／capacity debottleneck
- 機構B，2026-06-29；2nm 需求前瞻，7/16 法說預期上修營收/capex
- 機構E，2026-07-02／07-03；N3/N2/CoWoS 產能與 capex／GM 上修
- 機構A，2026-07-03；製造規模論點、先進封裝進化路徑、CoWoS 容量代理指標失準
- 機構B，2026-07-13；2Q26 法說前瞻三情境分析、美國法人回饋
- 機構G，2026-07-13；2Q26 法說前瞻、capex 與 wafer pricing 分析
- 公司法說（2Q26），2026-07-16；官方數字：營收、GM、OPM、EPS、By node／By platform 銷售分析
- 機構D 法人 Q&A sales note（法說會逐字轉述），2026-07-16
- 機構A，2026-07-16；2Q26 法說後 review
- 機構D，2026-07-16；首次覆蓋，稼動率×ASP×出貨量模型
- 機構E，2026-07-16；2Q26 法說後 review，GM／capex 假設上修
- 機構F，2026-07-16；出貨量與 ASP 假設最積極
- 機構B，2026-07-16／07-17；連發兩份法說後報告，capex 增量拆解、AI 半導體營收 CAGR 上修
- 機構H，2026-07-16；2Q26 法說後 review，3 年 capex 上修
- 機構I，2026-07-16；ASML 2Q26 財報評論（間接參照）
- 機構J，2026-06-01；2H26 特化產業展望，先進製程／先進封裝擴廠時程整理
- 機構K，2026-07-15；ASML 2Q26 Review（間接參照）
- SemiAnalysis，2026-07-02；ECTC 2026 技術發表整理
相關頁面
- 3264_欣銓（櫃）
- 6922_宸曜（櫃）
- 7769_鴻勁精密（市）
- 時程_2026_半導體測試介面
- 技術_Underfill底部填膠
- 6207_雷科（櫃）
- 6196_帆宣（市）
- 6944_兆聯實業（市）
- 4576_大銀微系統（市）
- AMKR.US(amkor)
- 7928_合聖科技（興）
- 7823_奧義賽博-KY（創）
- 技術_Feynman
- 7734_印能科技（櫃）
- 7853_政美應用（興）
- 技術_XPU
- 技術_客製HBM
- 3436.T(sumco)
- TSEM.US(tower)
- 0522.HK(asmpt)
- 6383.JP(daifuku)
- 7556_意德士（櫃）
- 8098_慶康（興）
- AMAT.US(applied_materials)
- KLAC.US(kla)
- LRCX.US(lam_research)
- Muratec（未）
- ONTO.US(onto_innovation)
- 7918_創鉅先進材料（興）
- 1785_光洋科（市）
- 4772_台特化（櫃）
- 2409_友達（市）
- INTC.US(intel)
- 2303_聯電（市）
- ADI.US(analog_devices)
- 技術_CFET
- 技術_FEOL_MOL_BEOL
- 技術_矽光子
- 5347_世界先進（櫃）
- 6146.JP(disco)
- 技術_OE光學引擎
- 技術_VPD